500万彩票网APP下载

深圳市500万彩票网APP下载半导体科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

什么是N沟道MOS管場效應管

信息來源:本站 日期:2017-04-29 

分享到:

N沟道耗盡型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗盡型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+(制造P沟道耗盡型MOS管时掺人负离子),故在UCs=0时,这些正离子产生的电场作用下,漏极一源极间的P型衬底表面也能感应天生N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压UDS,就有电流。假如加上正的UCs,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的.

N沟道耗盡型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗盡型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+(制造P沟道耗盡型MOS管时掺人负离子),故在UCs=0时,這些正離子産生的電場作用下,漏極一源極間的P型襯底表面也能感應天生N溝道(稱爲初始溝道),只要加上正向電壓UDS,就有電流。假如加上正的UCs,柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子,溝道加寬,溝道電阻變小。增大。反之UCs爲負時,溝道中感應的電子減少,溝道變窄,溝道電阻變大。減少。當UCS負向增加到某一數值時,導電溝道消失。趨于零,管子截止,故稱爲耗盡型。

N溝道耗盡型MOSFET的結構與增強型MOSFET結構類似,只有一點不同,就是N溝道耗盡型MOSFET在柵極電壓uGS=0時,溝道已經存在。該N溝道是在制造過程中應用離子注入法預先在襯底的表面,在D、S之間制造的,稱之爲初始溝道。N溝道耗盡型MOSFET的結構和符號如圖1.(a)所示,它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。所以當VGS=0時,這些正離子已經感應出反型層,形成了溝道。于是,只要有漏源電壓,就有漏極電流存在。當VGS>0時,將使ID進一步增加。VGS<0時,跟著VGS的減小漏極電流逐漸減小,直至ID=0。對應ID=0的VGS稱爲夾斷電壓,用符號VGS(off)表示,有時也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉移特性.

耗尽型MOS場效應管,是在制造过程中,预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子,因此,在UGS=0时,这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子,形成N型导电沟道。

當UDS>0時,將産生較大的漏極電流ID。假如使UGS<0,則它將削弱正離子所形成的電場,使N溝道變窄,從而使ID減小。當UGS更負,達到某一數值時溝道消失,ID=0。使ID=0的UGS我們也稱爲夾斷電壓,仍用UP表示。UGS

據導電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指,當VGS=0時即形成溝道,加上准確的VGS時,能使多數載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉向截止。


聯系方式:鄒先生

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

長按二維碼識別關注