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结型場效應管-结型場效應管结构和符号、特性曲线-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2017-07-17 

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结型場效應管

1.構造與符號

结型場效應管的构造表示图及其表示符号如图2-31所示。

在圖2-31(a)中,s表示Source,源極;D表示Drain,漏極;G表示Gate,柵極。在漏極和源極之間加上一個正向電壓後,N型嗲電子半導體中的多数载流子(电子)便能够导电了。这种导电沟道是N型的場效應管,称为N沟道结型場效應管。


图2-31 (b)中的場效應管在P型硅棒的两侧制成了高掺杂的N型区(N+),其导电沟道为P型,多数载流子为空穴。


2.结型場效應管的特性曲线

1)轉移特性曲線

轉移特性曲線表達當UDS一定時,柵源電壓Ucs對漏極電流iD的控制造用,即

理論剖析和實測結果標明,iD與ucs契合平方律關系,即


式中,IDSS爲飽和電流,表示UGS=o時的iD值;UP爲夾斷電壓,表示UGS=Up時iD爲零。


由此可見,結型MOS場效應管轉移特性曲線是用來闡明在一定的漏源電壓u陌時,柵源電壓UGS和漏極電流iD之間變化關系的曲線。JFET的轉移特性曲線如圖2-32所示。


爲了使輸入阻抗大(不允許呈現柵流ic),也爲了使柵源電壓對溝道寬度及漏極電流有效地停止控制,PN結一定要反偏,因而在N溝道JFET中,uGS必需爲負值。


2、輸出特性曲線

輸出特性曲線表達當柵源電壓UGS,不變時,漏極電流iD與漏源電壓UDS的關系,即


由此可見,輸出特性曲線表示的足以Ucs爲參變量時iD與UDS的關系。JFET的輸出特性曲線如圖2-33所示,依據特性曲線的各局部特征,能夠將其分爲四個區域,如圖中所示。


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