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n沟道和p沟道增强型mos管的工作原理 场效应mos管

信息來源:本站 日期:2017-07-17 

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N溝道增強型MOS管

1.構造

绝缘栅型場效應管的构造表示图如图2-34所示。

2.N溝道增強型MOSFET

1)N溝道增強型MOSFET的導電溝道的構成

N沟道加强型MOSFET的沟道构成及符号如图2-35所示,其中图2-35 (a)所示是在一块杂质浓度较低的P型半导体衬底上制造两个高浓度的N型区,并分别将它们作为源极s和漏极D,然后在衬底的外表制造一层Si02绝缘层,并在上面引出一个电极作为栅极G。图2-35(b)所示是其在电路中的符号。

2)N溝道加強型MOSFET的特性曲線

轉移特性曲線

N沟道加强型MOSFET的轉移特性曲線如图2-36所示。

式中,UT爲開啓電壓(或阈值電壓);μn爲溝道電子運動的遷移率;Cox爲巾位面積柵極電容;W爲溝道寬度;疋爲溝道長度;W/L爲MOSFET的寬長比。在MOSFET集成電路設計中,寬長比是一個極爲重要的參數。

輸出特性曲線

N沟道MOS管的輸出特性曲線如图2-37所示。与结型場效應管的输出特性相似,它也分为恒流区、叮变电阻区、截止区和击穿区。其特性如下所示。

①截止區:UGS≤UT,導電溝道未構成,iD=0。

②恒流區:

·曲線距離平均,UGS對iP的控制才能強;

·UDS對iD的控制才能弱,曲線平整;

·進入恒流區的條件,即預災斷條件爲UDS≥UCS-UT。

③可變電阻區:

可變電阻區的電流方程爲

因而,可變電阻區的輸出電阻rDS爲


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